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2021
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在國家大力支持半導體產業發展的背景下，中國半導體存儲基地于2016年開始建設。隨著半導體行業的快速發展，我國存儲芯片的應用場景不斷擴大。目前，我國存儲芯片在各個領域的應用正處于發展的初級階段，能夠成熟相關存儲芯片產品應用的企業數量稀缺。全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash市場被韓國、日本、美國企業所占據。 1、中國存儲芯行業起步較晚，技術基礎薄弱 中國的存儲芯片發展較晚。2016年之前，行業幾乎沒有產能，存儲芯片極度依賴進口。面對外資企業在存儲芯片行業的壟斷優勢，中國近年來開始大舉投資存儲芯片行業。經過幾年的發展，逐漸取得了一些成績。 目前，中國大陸地區企業在相關領域的市場份額仍然較低，通過國家政府層面的大規模投資，有機會快速切入相關領域，是芯片國產化的可靠而重要的一步。 存儲芯片行業是一個技術密集型行業。中國存儲芯片行業起步較晚，缺乏積累的技術經驗。雖然我國本土的企業已經逐步完善了NAND和DRAM行業的布局，但每一款存儲芯片產品還處于生產初期，尚未實現量產。與國外存儲芯片廠商相比，我國存儲芯片技術基礎薄弱，是制約行業發展的主要因素。 以3DNAND存儲器為例，三星、海力士通過不斷開發創新，改進數據存儲單元結構，增加單元存儲容量，開發生產了176層3DNAND。國內于2020年推出128層QLC 3D NAND閃存。可以看出，與國外領先的3D NAND...